收藏本站
|
设为首页
|
|
|
|
|
|
|
|
|


扬州大学科技成果汇编

大功率LED芯片设计
发布者: admin   发布时间:2015-01-30   点击率: 992

将对大功率高亮度GaNLED进行优化设计,提高光提取效率,使芯片的电流扩展均匀,减少电流的聚集效应,降低芯片的发热量。研究成果:通过设计新型电极,减少芯片散热;通过不同制备工艺下芯片的辐照效应,得到可靠性好的芯片。

前景分析:大功率芯片的应用受制于亮度和散热,若能克服这些局限性,将会加快LED的广泛应用。


 
CopyRight © 2020 靖江市华信科技创业孵化园 . All Rights Reserved .
地址:靖江市城北园区山南路18号  邮编:214500  电话:0523-80161131
苏ICP备 13063049号-1