成果名称

太阳能用掺锗硅单晶

成果简介：

硅单晶是光伏产业的基础材料，其发电成本还较高。从材料技术的角度，提高直拉单晶硅的质量、降低太阳电池效率的光衰减是关键。本项目经过近10年的研发，发明了掺锗直拉硅单晶的新技术。掺锗直拉硅单晶可以有效抑制直拉硅中热施主的产生，对原生晶体电阻率的稳定性有利；可以抑制直拉硅中硼氧复合体的产生，降低太阳电池的光衰减效应；可以提高硅片的机械强度，降低硅片加工过程中的碎片率，提高太阳电池的成品率。在此基础上形成了具有完全自主知识产权的成套技术，满足了国内光伏市场的需求。

主要功能与指标：

1、有效抑制直拉硅中热施主的产生；

2、可以抑制直拉硅太阳电池的光衰减效应；

3、可以降低硅片加工过程中的碎片率以及太阳电池的翘曲。

应用领域与前景（最好有图片）：

主要应用于太阳能光伏领域，提高太阳电池成品率，稳定太阳电池效率。

合作方式与费用：

技术转让或者合作开发，费用面议

是否属于专利

是

所有权人

浙江大学

专利号

ZL01139098.0

联系人

赵科

联系电话

0519-80583192

电子邮箱

zhaoke@zjuczgyy.com