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六英寸功率器件外延芯片

发布者： admin 发布时间：2018-05-15 点击率： 615

成果依托单位：南京大学-固态照明与节能电子学协同创新中心
主要完成单位：南京大学
成果简介：
以GaN 和SiC 为代表的宽禁带半导体材料是新一代功率电子器
件的主要发展方向，利用此材料可以实现更高的能量密度，更低的开
关损耗，更高的工作频率，更高的工作温度，更高的能量密度，更低
的开关损耗。从而能够在功率电子器件上实现更高的综合电能转化与
利用效率。这对于大功率电子器件以及工作在极端条件下的电力电子
器件提供了极大的竞争力。由南京大学张荣教授组研发的 1100+V 级
高击穿电压GaN 基肖特基二极管器件，其采用高质量低缺陷 GaN 基
材料体系，通过优化的器件设计与工艺，使该器件的击穿电压>1100
V，对应的功率优质系数 VBR2/RON >280 MW·cm-2 ，目前该器件
性能属于国际高水平器件指标。

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